5.8G雷達芯片

FW8101D

所屬分類: 5.8G雷達芯片

產品簡介:1產品描述工作在 5.8GHzISM頻段基于多普勒原理的微波傳感器滿足遠距離需求支持超低功耗工作滿足 FCC及可靠性認證小尺寸封裝 QFN16 3×3mm2 FW8101D 是一款 1 發 1 收低功耗遠距離微波雷達芯片,工作在 ISM 認證頻段范圍內,該芯

產品詳情

1   產品描述

  

  •  工作在 5.8GHz ISM 頻段

  •  基于多普勒原理的微波傳感器

  •  滿足遠距離需求

  •  支持超低功耗工作

  •  滿足 FCC 及可靠性認證

  •  小尺寸封裝 QFN16 3×3mm2

      FW8101D 是一款 1 1 收低功耗遠距離微波雷達芯片,工作在 ISM 證頻段范圍內,該芯片內部集成低噪聲放大器(LNA)、壓控振蕩器(VCO)、率放大器(PA) 、混頻器(Mixer) 、中頻放大器(IF)等模塊, 具有優良的中頻底噪。FW8101D 采用無鉛 QFN16 表面貼裝封裝,封裝尺寸僅 3×3mm, 其外圍電路僅需 10 個, 降低了客戶外圍電路成本和空間。

應用場景推薦:人體存在感應、移動目標感應、智能家居、屏幕喚醒、 光遙感。

 

2    電氣特性

 

2.1極限測試

  

 

parameter

 

Symbol

Values

 

Unit

Note/Test

Condition

Min

Typ

Max

Supply Voltage

VDD

0

-

5.5

V

-

Ambient temperature range

TA

-25

-

85

-

Storage temperature range

TSTG

-40

-

175

-

 



2.2技術指標

  

 

parameter

 

Symbol

Values

 

Unit

Note/Test

Condition

Min

Typ

Max

Supply Voltage

VDD

4.7

-

5.3

V

-

Supply Current

Icc


9

10

mA

-

RF Frequency Range

FRF

5725

-

5875

MHz

-

IF Frequency Range

FIF

5

-

240

Hz

-

RF Output Power

PRFOUT

-6

-7

-8

dBm

-

RX NF

NF


10

15

dB

-

 

2.3靜電特性

  

 

parameter

 

Symbol

Values

 

Unit

Note/Test

Condition

Min

Typ

Max

HBM

VESD+HBM

-500

-

500

V

ALL Pins

CDM

TESD+CDM

-2

-

2

KV

ALL Pins

 

3   原理設計

 

FW8101D 芯片原理如下,芯片內部產生微波信號源,經過 Tx 天線向外輻射, 在空氣中遇到運動物體, 返回一個回波信號, 通過 Rx 天線接收信號,兩個信號 間存在一定的頻率差, 即多普勒效應, 再通過芯片內部的混頻器得到中頻信號,

采集該信號,從而分析和實現微波傳感功能。

圖片1.png

                       圖 1 系統框架圖

4   芯片引腳定義


圖片2.png

                                        圖 2 芯片引腳

Table1 FW8101D PIN 說明

 

管腳號

標簽

描述

1,2

Cap/P,Mixer/P

中頻隔直電容

3,16

Cap/N,Mixer/N

中頻隔直電容

4,9

VDD

入電源電壓 5V

5

Rx

天線接收端口

6,7,15

NC

懸空

8

Tx

天線發射端口

10

O/P

中頻放大器信號輸出

11,12

Res2/P,Res2/N

中頻放大器反饋電阻電容

13,14

Res1/P,Res1/N

中頻放大器反饋電阻電容


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